MC33174DT vs MC33151DR2G

MC33151DR2GとMC33174DTの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
MC33151DR2G

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6915 個数 | オンセミコンダクター社
MC33174DT

+BOM

1666 個数 | RFE/フューゼテック
パッケージ 8-SOIC
説明 IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Low-Side -
ChannelType Independent -
NumberofDrivers 2 -
GateType N-Channel MOSFET -
Voltage-Supply 6.5V ~ 18V -
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.6V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.5A, 1.5A -
InputType Inverting -
Rise/FallTime(Typ) 31ns, 32ns -
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 105°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
AmplifierType - General Purpose
NumberofCircuits - 4
SlewRate - 2V/µs
GainBandwidthProduct - 2.1 MHz
Current-InputBias - 100 nA
Voltage-InputOffset - 1 mV
Current-Supply - 220µA
Current-Output/Channel - 27 mA
Voltage-SupplySpan(Min) - 4 V
Voltage-SupplySpan(Max) - 44 V
比較モデル : MC33151DR2G MC33174DT

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