MC33179DR2G vs MC33152D

MC33179DR2GとMC33152Dの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MC33179DR2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
4448 個数
Series
リニアアンプ - 計装用、オペアンプ、バッファアンプ
Part B

MC33152D

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
6251 個数
Package
SOIC-8
Series
PMIC - ゲートドライバ

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Full specification comparison

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Specification MC33179DR2G MC33152D
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration - Low-Side
Channel Type - Independent
Number of Drivers - 2
Gate Type - N-Channel MOSFET
Voltage - Supply - 6.1V ~ 18V
Logic Voltage - VILVIH - 0.8V, 2.6V
Current - Peak Output(Source Sink) - 1.5A, 1.5A
Input Type - Non-Inverting
Rise / Fall Time(Typ) - 36ns, 32ns
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Amplifier Type General Purpose -
Number of Circuits 4 -
Slew Rate 2V/µs -
Gain Bandwidth Product 5 MHz -
Current - Input Bias 100 nA -
Voltage - Input Offset 150 µV -
Supply Current 1.7mA (x4 Channels) -
Current - Output / Channel 100 mA -
Voltage - Supply Span(Min) 4 V -
Voltage - Supply Span(Max) 36 V -