MJD45H11T4 vs MJD45H11TM

MJD45H11T4とMJD45H11TMの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MJD45H11T4

RFE/フューゼテック

Lifecycle
Active
Stock
3019 個数
Package
TO-252-3
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
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Part B

MJD45H11TM

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
3736 個数
Package
TO-252-3
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
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Full specification comparison

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Specification MJD45H11T4 MJD45H11TM
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 8 A 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 80 V 80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 1V @ 400mA, 8A 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff(Max) 10µA 10µA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 40 @ 4A, 1V 40 @ 4A, 1V
Power - Max 20 W 1.75 W
Frequency - Transition - 40MHz
Operating Temperature 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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