MMBD7000LT1G vs MMBD770T1

MMBD7000LT1GとMMBD770T1の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
MMBD7000LT1G

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5014 個数 | オンセミコンダクター社
MMBD770T1

+BOM

8960 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SOT-23-3 SOT-323
説明 DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23 DIODE SCHOTTKY 70V 120MW SC70-3
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Obsolete
DiodeType Standard Schottky - Single
Voltage-PeakReverse(Max) - 70V
Current-Max - 200 mA
Capacitance@VrF - 1pF @ 20V, 1MHz
PowerDissipation(Max) - 120 mW
OperatingTemperature - -55°C ~ 125°C (TJ)
DiodeConfiguration 1 Pair Series Connection -
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 100 V -
Current-AverageRectified(Io)(perDiode) 200mA (DC) -
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.1 V @ 100 mA -
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed -
ReverseRecoveryTime(trr) 4 ns -
Current-ReverseLeakage@Vr 3 µA @ 100 V -
OperatingTemperature-Junction -55°C ~ 150°C -
MountingType Surface Mount -
比較モデル : MMBD7000LT1G MMBD770T1

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