MMBFJ113 vs MMBFJ177LT1

MMBFJ113とMMBFJ177LT1の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBFJ113

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
3556 個数
Package
SOT-23
Series
トランジスタ - JFET
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Part B

MMBFJ177LT1

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
8583 個数
Series
トランジスタ - JFET
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Full specification comparison

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Specification MMBFJ113 MMBFJ177LT1
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type N-Channel -
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 35 V -
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 2 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 500 mV @ 1 µA -
Rds On 100 Ohms -
Power - Max 350 mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
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