MMBFJ175LT1G vs MMBFJ113

MMBFJ113とMMBFJ175LT1Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
MMBFJ113

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3556 個数 | オンセミコンダクター社
MMBFJ175LT1G

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2714 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SOT-23 SOT-23-3
説明 JFET N-CH 35V 350MW SOT23 JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel P-Channel
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) 35 V 30 V
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) 2 mA @ 15 V 7 mA @ 15 V
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id 500 mV @ 1 µA 3 V @ 10 nA
Resistance-RDS(On) 100 Ohms 125 Ohms
Power-Max 350 mW 225 mW
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 11pF @ 10V (VGS)
比較モデル : MMBFJ113 MMBFJ175LT1G

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