MMBFJ176 vs MMBFJ113

MMBFJ176とMMBFJ113の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBFJ176

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
7683 個数
Series
トランジスタ - JFET
Part B

MMBFJ113

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
3556 個数
Package
SOT-23
Series
トランジスタ - JFET

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Full specification comparison

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Specification MMBFJ176 MMBFJ113
Part Status Active Active
FET Type P-Channel N-Channel
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) - 35 V
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) - 2 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id - 500 mV @ 1 µA
Rds On - 100 Ohms
Power - Max 225 mW 350 mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number MMBFJ1 -
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30 V -
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1 V @ 10 nA -
Rds(on) 250 Ohms -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -