MMBT3906WT1G vs MMBT3906

MMBT3906WT1GとMMBT3906の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT3906WT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 5464 個数
Package: SOT-323
Series: トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル

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Part B

MMBT3906

RFE/フューゼテック

Lifecycle: Active
Stock: 2064 個数
Package: SOT-23
Series: トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル

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Full specification comparison

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Specification	MMBT3906WT1G	MMBT3906
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	PNP	PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	200 mA	200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	40 V	40 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	400mV @ 5mA, 50mA	400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	100 @ 10mA, 1V	100 @ 10mA, 1V
Power - Max	150 mW	350 mW
Frequency - Transition	250MHz	250MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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