MMBT5087LT1G vs MMBT5089 比較

MMBT5087LT1GとMMBT5089の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
MMBT5087LT1G

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28578 個数 | オンセミコンダクター社
MMBT5089

+BOM

4098 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ TO-236-3 TO-236-3
説明 TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3 TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC onsemi
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 50 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V 25 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 300mV @ 1mA, 10mA 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 250 @ 100µA, 5V 400 @ 100µA, 5V
Power - Max 300 mW 350 mW
Frequency - Transition 40MHz 50MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
比較モデル : MMBT5087LT1G MMBT5089

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