MMBTA14LT1G vs MMBTA05LT3G

MMBTA14LT1GとMMBTA05LT3Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBTA14LT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 9690 個数
Package: TO-236-3
Series: トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル

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Part B

MMBTA05LT3G

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 8468 個数
Package: TO-236-3
Series: トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル

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Full specification comparison

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Specification	MMBTA14LT1G	MMBTA05LT3G
Supplier	onsemi	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Active
Transistor Type	NPN - Darlington	NPN
Current - Collector(Ic)(Max)	300 mA	500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	30 V	60 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	1.5V @ 100µA, 100mA	250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max)	100nA (ICBO)	100nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	20000 @ 100mA, 5V	100 @ 100mA, 1V
Power - Max	225 mW	225 mW
Frequency - Transition	125MHz	100MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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