MMBTA64LT1G vs MMBTA56LT1G

MMBTA64LT1GとMMBTA56LT1Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBTA64LT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
1290 個数
Package
SOT-23-3
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
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Part B

MMBTA56LT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
3861 個数
Package
SOT-23-3
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
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Full specification comparison

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Specification MMBTA64LT1G MMBTA56LT1G
Part Status Active Active
Transistor Type PNP - Darlington PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 500 mA 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 30 V 80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 1.5V @ 100µA, 100mA 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 20000 @ 100mA, 5V 100 @ 100mA, 1V
Power - Max 225 mW 225 mW
Frequency - Transition 125MHz 50MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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