MMBTH10LT1G vs MMBTH81

MMBTH81とMMBTH10LT1Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
MMBTH81

+BOM

3557 個数 | オンセミコンダクター社
MMBTH10LT1G

+BOM

5390 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SOT23-3 SOT23-3
説明 RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23-3 RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
ProductStatus Active Active
TransistorType PNP NPN
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 20V 25V
Frequency-Transition 600MHz 650MHz
Power-Max 225mW 225mW
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 60 @ 5mA, 10V 60 @ 4mA, 10V
Current-Collector(Ic)(Max) 50mA -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
比較モデル : MMBTH81 MMBTH10LT1G

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