MUN2211T1G vs MUN2212T1

MUN2211T1GとMUN2212T1の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MUN2211T1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
5798 個数
Package
SC-59
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
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Part B

MUN2212T1

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
6903 個数
Package
TO-236-3
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
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Specification MUN2211T1G MUN2212T1
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V 50 V
Resistor - Base(R1) 10 kOhms 22 kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 10 kOhms 22 kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 35 @ 5mA, 10V 60 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA 500nA
Power - Max 230 mW 338 mW
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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