MUN5211DW1T1G vs MUN5235T1 比較

MUN5211DW1T1GとMUN5235T1の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
MUN5211DW1T1G

+BOM

4451 個数 | オンセミコンダクター社
MUN5235T1

+BOM

9118 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SOT-363-6 SOT-323
説明 TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88 TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual) NPN - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max) 100mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50V 50 V
Resistor - Base(R1) 10kOhms 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 10kOhms 47 kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 35 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA 500nA
Power - Max 250mW 202 mW
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
比較モデル : MUN5211DW1T1G MUN5235T1

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