MUN5211T1G vs MUN5214DW1T1G

MUN5211T1GとMUN5214DW1T1Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MUN5211T1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 3812 個数
Package: SC-70
Series: トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス

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Part B

MUN5214DW1T1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 7034 個数
Package: SOT-363-6
Series: トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス

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Full specification comparison

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Specification	MUN5211T1G	MUN5214DW1T1G
Part Status	Active	Active
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max)	100 mA	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	50 V	50V
Resistor - Base(R1)	10 kOhms	10kOhms
Resistor - Emitter Base(R2)	10 kOhms	47kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	35 @ 5mA, 10V	80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	250mV @ 300µA, 10mA	250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max)	500nA	500nA
Power - Max	202 mW	250mW
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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