MUN5330DW1T1G vs MUN5335DW1T2

MUN5330DW1T1GとMUN5335DW1T2の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MUN5330DW1T1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
16706 個数
Package
SC-88
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス
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Part B

MUN5335DW1T2

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
3602 個数
Package
SC-88
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス
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Specification MUN5330DW1T1G MUN5335DW1T2
Supplier onsemi Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max) 100mA 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50V 50V
Resistor - Base(R1) 1kOhms 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 1kOhms 47kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 3 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 5mA, 10mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA -
Power - Max 250mW -
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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