NCP1608BDR2G vs NCP1615DDR2G

NCP1608BDR2GとNCP1615DDR2Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NCP1608BDR2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 2805 個数
Package: SOIC-8
Series: PMIC - PFC（力率改善）

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Part B

NCP1615DDR2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 7535 個数
Package: SOIC-16
Series: PMIC - PFC（力率改善）

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Full specification comparison

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Specification	NCP1608BDR2G	NCP1615DDR2G
Part Status	Active	Obsolete
Mode	Critical Conduction (CRM)	Current Controlled Frequency Foldback (CCFF), Critical Conduction (CRM)
Frequency - Switching	-	26kHz
Current - Startup	24 µA	12 mA
Voltage - Supply	10.2V ~ 20V	9.5V ~ 28V
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C	-40°C ~ 125°C
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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