NCV33172DR2G vs NCV33202VDR2G

NCV33172DR2GとNCV33202VDR2Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NCV33172DR2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 5969 個数
Series: リニアアンプ - 計装用、オペアンプ、バッファアンプ

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Part B

NCV33202VDR2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 6812 個数
Package: SOIC-8
Series: リニアアンプ - 計装用、オペアンプ、バッファアンプ

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Full specification comparison

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Specification	NCV33172DR2G	NCV33202VDR2G
Series	-	Automotive, AEC-Q100
Part Status	Active	Active
Amplifier Type	General Purpose	General Purpose
Number of Circuits	2	2
Output Type	-	Rail-to-Rail
Slew Rate	2.1V/µs	1V/µs
Gain Bandwidth Product	1.8 MHz	2.2 MHz
Current - Input Bias	20 nA	80 nA
Voltage - Input Offset	2 mV	8 mV
Supply Current	180µA (x2 Channels)	900µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel	27 mA	80 mA
Voltage - Supply Span(Min)	3 V	1.8 V
Voltage - Supply Span(Max)	44 V	12 V
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C	-55°C ~ 125°C
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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