NCV5183DR2G vs NCV5104DR2G

NCV5183DR2GとNCV5104DR2Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NCV5183DR2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
4856 個数
Package
SOIC-8
Series
PMIC - ゲートドライバ
Part B

NCV5104DR2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
8257 個数
Package
SOIC-8
Series
PMIC - ゲートドライバ

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Specification NCV5183DR2G NCV5104DR2G
Series Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 9V ~ 18V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 1.2V, 2.5V 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output(Source Sink) 4.3A, 4.3A 250mA, 500mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 12ns, 12ns 85ns, 35ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount