NCV5700DR2G vs NCV57200DR2G 比較

NCV5700DR2GとNCV57200DR2Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
NCV5700DR2G

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5660 個数 | オンセミコンダクター社
NCV57200DR2G

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9149 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SOIC-16 SOIC-8
説明 IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE
Series Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100
Part Status Active Active
Driven Configuration High-Side or Low-Side Half-Bridge
Channel Type Synchronous Synchronous
Gate Type IGBT IGBT
Voltage - Supply 20V 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.75V, 4.3V 0.9V, 2.4V
Current - Peak Output(Source Sink) 7.8A, 6.8A 1.9A, 2.3A
Rise / Fall Time(Typ) 9.2ns, 7.9ns 13ns, 8ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Number of Drivers - 1
Input Type - Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 800 V
比較モデル : NCV5700DR2G NCV57200DR2G

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