NTHD4102PT1G vs NTHD4502NT1

NTHD4102PT1GとNTHD4502NT1の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

NTHD4102PT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
2073 個数
Package
8-SMD, Flat Lead
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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Part B

NTHD4502NT1

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
9184 個数
Package
8-SMD, Flat Lead
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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Full specification comparison

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Specification NTHD4102PT1G NTHD4502NT1
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.9A 2.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs 80mOhm @ 2.9A, 4.5V 85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V 7nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 750pF @ 16V 140pF @ 15V
Power - Max 1.1W 640mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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