Part A
NTJD4105CT1G
オンセミコンダクター社
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 4611 個数
- Package
- SOT-363
- Series
- トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
NTJD4105CT1GとNTJD4158CT2Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。
オンセミコンダクター社
オンセミコンダクター社
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| Specification | NTJD4105CT1G | NTJD4158CT2G |
|---|---|---|
| Supplier | - | Rochester Electronics, LLC |
| Part Status | Active | Active |
| FET Type | N and P-Channel | - |
| FET Feature | Logic Level Gate | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V, 8V | - |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 630mA, 775mA | - |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 375mOhm @ 630mA, 4.5V | - |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | - |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V | - |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 46pF @ 20V | - |
| Power - Max | 270mW | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| Mounting Type | Surface Mount | - |