NTJD4152PT1G vs NTJD4158CT2G 比較
NTJD4152PT1GとNTJD4158CT2Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOT-363
説明
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
NTJD4158C - COMPLEMENTARY SMALL
Supplier
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Rochester Electronics, LLC
Part Status
Active
Active
FET Type
2 P-Channel (Dual)
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FET Feature
Logic Level Gate
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Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
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Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
880mA
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Rds On(Max) @ Id Vgs
260mOhm @ 880mA, 4.5V
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Vgs(th)(Max) @ Id
1.2V @ 250µA
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Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
2.2nC @ 4.5V
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Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
155pF @ 20V
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Power - Max
272mW
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Mounting Type
Surface Mount
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