NTTFS4C05NTAG vs NTTFS4C06NTAG

NTTFS4C05NTAGとNTTFS4C06NTAGの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NTTFS4C05NTAG

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 5812 個数
Package: WDFN3X3-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Part B

NTTFS4C06NTAG

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 5204 個数
Package: WDFN-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Full specification comparison

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Specification	NTTFS4C05NTAG	NTTFS4C06NTAG
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	12A (Ta), 75A (Tc)	11A (Ta), 67A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	3.6mOhm @ 30A, 10V	4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.2V @ 250µA	2.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	31 nC @ 10 V	36 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1988 pF @ 15 V	3366 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	820mW (Ta), 33W (Tc)	810mW (Ta), 31W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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