NTZD3155CT2G vs NTZD3155CT1H

NTZD3155CT2GとNTZD3155CT1Hの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NTZD3155CT2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 6954 個数
Package: SOT-563
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Part B

NTZD3155CT1H

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 8709 個数
Package: SOT-666
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Full specification comparison

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Specification	NTZD3155CT2G	NTZD3155CT1H
Supplier	-	onsemi
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	N and P-Channel	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	540mA, 430mA	540mA, 430mA
Rds On(Max) @ Id Vgs	550mOhm @ 540mA, 4.5V	550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V	2.5nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	150pF @ 16V	150pF @ 16V
Power - Max	250mW	250mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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