NVMFD5877NLT1G vs NVMFD016N06CT1G 比較

NVMFD5877NLT1GとNVMFD016N06CT1Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
NVMFD5877NLT1G

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6114 個数 | オンセミコンダクター社
NVMFD016N06CT1G

+BOM

2195 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ TDFN-8 TDFN-8
説明 MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC MOSFET N-CH 60V 8DFN 5X6
Supplier onsemi onsemi
Series Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Part Status Obsolete Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6A 9A (Ta), 32A (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 39mOhm @ 7.5A, 10V 16.3mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 20nC @ 10V 6.9nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 540pF @ 25V 489pF @ 30V
Power - Max 3.2W 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
比較モデル : NVMFD5877NLT1G NVMFD016N06CT1G

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