NVMFS5C404NT1G vs NVMFS5113PLT1G

NVMFS5C404NT1GとNVMFS5113PLT1Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NVMFS5C404NT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 2191 個数
Package: SO-8FL-4
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Part B

NVMFS5113PLT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 3739 個数
Package: SO-8FL
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Full specification comparison

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Specification	NVMFS5C404NT1G	NVMFS5113PLT1G
Series	Automotive, AEC-Q101	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	378A (Tc)	10A (Ta), 64A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	0.7mOhm @ 50A, 10V	14mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	128 nC @ 10 V	83 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	8400 pF @ 25 V	4400 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	3.9W (Ta), 200W (Tc)	3.8W (Ta), 150W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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