RB751S-40 vs RB751V-40 比較

RB751V-40とRB751S-40の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
RB751V-40

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9158 個数 | 台湾セミコンダクター株式会社
RB751S-40

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3498 個数 | 揚州楊傑電子科技有限公司
パッケージ SOD-523
説明 DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD323 DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD523
Part Status Active Active
Technology Schottky -
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 40 V 30 V
Current - Average Rectified (Io) 30mA -
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 370 mV @ 1 mA 370 mV @ 1 mA
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr 500 nA @ 30 V 500 nA @ 30 V
Capacitance @ Vr, F 2pF @ 0V, 1MHz -
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature - Junction -45°C ~ 125°C -
Diode Type - Schottky
Current - Average Rectified(Io) - 30mA (DC)
Capacitance @ Vr F - 5pF @ 0V, 1MHz
比較モデル : RB751V-40 RB751S-40

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