SBC846BWT1G vs SBC847CDW1T1

SBC846BWT1GとSBC847CDW1T1の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SBC846BWT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
4193 個数
Package
SOT-323
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Part B

SBC847CDW1T1

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
3768 個数
Series
リニアアンプ - 特殊用途

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Full specification comparison

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Specification SBC846BWT1G SBC847CDW1T1
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Active
Series Automotive, AEC-Q101 -
Transistor Type NPN -
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 65 V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 600mV @ 5mA, 100mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 200 @ 2mA, 5V -
Power - Max 150 mW -
Frequency - Transition 100MHz -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -