SI2301-TP vs SI2308BDS-T1-GE3 比較
SI2308BDS-T1-GE3とSI2301-TPの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOT-23-3
説明
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
Series
TrenchFET®
-
Part Status
Obsolete
Active
Base Product Number
SI2308
-
FET Type
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
156mOhm @ 1.9A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
190 pF @ 30 V
-
Power Dissipation (Max)
1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
1.25W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
2.8A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
14.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
880 pF @ 6 V
