SI2302DDS-T1-GE3 vs SI2301CDS-T1-E3 比較
SI2301CDS-T1-E3とSI2302DDS-T1-GE3の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOT-23-3
SOT-23-3
説明
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Series
TrenchFET®
TrenchFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
2.9A (Tj)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
2.5V, 4.5V
2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs
112mOhm @ 2.8A, 4.5V
57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA
850mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
5.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±8V
±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
405 pF @ 10 V
-
Power Dissipation (Max)
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
710mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
