SI2309CDS-T1-E3 vs SI2302DDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-E3とSI2302DDS-T1-GE3の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI2309CDS-T1-E3

ビシェイ・シリコニクス

Lifecycle: Active
Stock: 7597 個数
Package: SOT-23-3
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Part B

SI2302DDS-T1-GE3

ビシェイ・シリコニクス

Lifecycle: Active
Stock: 4873 個数
Package: SOT-23-3
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Full specification comparison

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Specification	SI2309CDS-T1-E3	SI2302DDS-T1-GE3
Series	TrenchFET®	TrenchFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	P-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	1.6A (Tc)	2.9A (Tj)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	345mOhm @ 1.25A, 10V	57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	850mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	4.1 nC @ 4.5 V	5.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	210 pF @ 30 V	-
Power Dissipation (Max)	1W (Ta), 1.7W (Tc)	710mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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