SI4946BEY-T1-E3 vs SI4948BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3とSI4948BEY-T1-E3の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI4946BEY-T1-E3

ビシェイ・シリコニクス

Lifecycle: Active
Stock: 4646 個数
Package: SOIC-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Part B

SI4948BEY-T1-E3

ビシェイ・シリコニクス

Lifecycle: Active
Stock: 6037 個数
Package: SOIC-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Full specification comparison

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Specification	SI4946BEY-T1-E3	SI4948BEY-T1-E3
Series	TrenchFET®	TrenchFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V	60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	6.5A	2.4A
Rds On(Max) @ Id Vgs	41mOhm @ 5.3A, 10V	120mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	25nC @ 10V	22nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	840pF @ 30V	-
Power - Max	3.7W	1.4W
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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