STGF15H60DF vs STGF19NC60KD

STGF15H60DFとSTGF19NC60KDの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

STGF15H60DF

RFE/フューゼテック

Lifecycle
Active
Stock
7753 個数
Package
TO-220-3
Series
トランジスタ - IGBT - シングル
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Part B

STGF19NC60KD

RFE/フューゼテック

Lifecycle
Active
Stock
4484 個数
Package
TO-220FP-3
Series
トランジスタ - IGBT - シングル
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Full specification comparison

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Specification STGF15H60DF STGF19NC60KD
Supplier STMicroelectronics -
Part Status Active Active
IGBT Type Trench Field Stop -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 30 A 16 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 60 A 75 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2V @ 15V, 15A 2.75V @ 15V, 12A
Power - Max 30 W 32 W
Switching Energy 136µJ (on), 207µJ (off) 165µJ (on), 255µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 81 nC 55 nC
Td(on / off) @ 25°C 24.5ns/118ns 30ns/105ns
Test Condition 400V, 15A, 10Ohm, 15V 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 103 ns 31 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Series - PowerMESH™
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