STGW40H65DFB vs STGW40S120DF3

STGW40H65DFBとSTGW40S120DF3の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

STGW40H65DFB

RFE/フューゼテック

Lifecycle: Active
Stock: 29589 個数
Package: TO-247-3
Series: トランジスタ - IGBT - シングル

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Part B

STGW40S120DF3

RFE/フューゼテック

Lifecycle: Active
Stock: 2233 個数
Package: TO-247-3
Series: トランジスタ - IGBT - シングル

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Full specification comparison

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Specification	STGW40H65DFB	STGW40S120DF3
Supplier	STMicroelectronics	STMicroelectronics
Part Status	Active	Obsolete
IGBT Type	Trench Field Stop	Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	650 V	1200 V
Current - Collector(Ic)(Max)	80 A	80 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	160 A	160 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2V @ 15V, 40A	2.15V @ 15V, 40A
Power - Max	283 W	468 W
Switching Energy	498µJ (on), 363µJ (off)	1.43mJ (on), 3.83mJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	210 nC	129 nC
Td(on / off) @ 25°C	40ns/142ns	35ns/148ns
Test Condition	400V, 40A, 5Ohm, 15V	600V, 40A, 15Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	62 ns	355 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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