STGW60H65DFB vs STGW60V60DLF

STGW60H65DFBとSTGW60V60DLFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

STGW60H65DFB

RFE/フューゼテック

Lifecycle
Active
Stock
1815 個数
Package
TO-247
Series
トランジスタ - IGBT - シングル
Part B

STGW60V60DLF

RFE/フューゼテック

Lifecycle
Active
Stock
3537 個数
Series
トランジスタ - IGBT - シングル

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Full specification comparison

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Specification STGW60H65DFB STGW60V60DLF
Supplier - STMicroelectronics
Part Status Last Time Buy Active
IGBT Type Trench Field Stop -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 650 V -
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A -
Current - Collector Pulsed(Icm) 240 A -
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2V @ 15V, 60A -
Power - Max 375 W -
Switching Energy 1.09mJ (on), 626µJ (off) -
Input Type Standard -
Gate Charge 306 nC -
Td(on / off) @ 25°C 51ns/160ns -
Test Condition 400V, 60A, 5Ohm, 15V -
Reverse Recovery Time (trr) 60 ns -
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -
Mounting Type Through Hole -