STPSC1006D vs STPSC1006G-TR

STPSC1006DとSTPSC1006G-TRの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
STPSC1006D

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15569 個数 | RFE/フューゼテック
STPSC1006G-TR

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3664 個数 | RFE/フューゼテック
パッケージ TO-220-2 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
説明 DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220AC DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Supplier STMicroelectronics STMicroelectronics
ProductStatus Active Obsolete
DiodeType Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 600 V 600 V
Current-AverageRectified(Io) 10A 10A
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.75 V @ 10 A 1.7 V @ 10 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 0 ns 0 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 300 µA @ 600 V 150 µA @ 600 V
Capacitance@VrF 650pF @ 0V, 1MHz 650pF @ 0V, 1MHz
MountingType Through Hole Surface Mount
比較モデル : STPSC1006D STPSC1006G-TR

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