TISP6NTP2CDR-S vs TISP61511DR-S

TISP6NTP2CDR-SとTISP61511DR-Sの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
TISP6NTP2CDR-S

+BOM

4710 個数 | ボーンズ社
TISP61511DR-S

+BOM

8479 個数 | ボーンズ社
パッケージ SOIC-8
説明 SURGE PROT THYRIST 155VDUAL SLIC THYRISTOR 100V 30A 8SOIC
Supplier - Bourns Inc.
ProductStatus Active Obsolete
Voltage-Breakover - 58V
Voltage-OffState - 100V
Voltage-OnState - 3 V
Current-PeakPulse(10/1000µs) - 30 A
Current-Hold(Ih) - 150 mA
NumberofElements - 2
MountingType Surface Mount Surface Mount
Voltage-Clamping -112V -
Technology Mixed Technology -
NumberofCircuits 4 -
Applications SLIC -
比較モデル : TISP6NTP2CDR-S TISP61511DR-S

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