TL081CDR vs TL081IDR

TL081IDRとTL081CDRの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
TL081IDR

+BOM

3096 個数 | STマイクロエレクトロニクス
TL081CDR

+BOM

2601 個数 | STマイクロエレクトロニクス
パッケージ
説明
ProductStatus Active Active
AmplifierType J-FET J-FET
NumberofCircuits 1 1
SlewRate 13V/µs 13V/µs
GainBandwidthProduct 3 MHz 3 MHz
Current-InputBias 30 pA 30 pA
Voltage-InputOffset 3 mV 3 mV
Current-Supply 1.4mA 1.4mA
Voltage-SupplySpan(Min) 7 V 7 V
Voltage-SupplySpan(Max) 36 V 36 V
OperatingTemperature -40°C ~ 85°C 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
比較モデル : TL081IDR TL081CDR

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