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1N8026-GA
+BOMDIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
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メーカーGeneSiC半導体
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メーカー品番 #1N8026-GA
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データシート 1N8026-GA DataSheet
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パッケージ TO-257-3
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在庫状況4813
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仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package | Tube |
| ProductStatus | Obsolete |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 1200 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 8A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.6 V @ 2.5 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 10 µA @ 1200 V |
| Capacitance@VrF | 237pF @ 1V, 1MHz |
| MountingType | Through Hole |
| Package/Case | TO-257-3 |
| SupplierDevicePackage | TO-257 |
