2SA812B-T1B-AT

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2SA812B-T1B-AT

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2SA812B-T1B-AT - PNP SILICON EPI

  • メーカールネサス

  • メーカー品番 #2SA812B-T1B-AT

  • パッケージ TO-236-3

  • 在庫状況5169

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仕様

属性
Supplier Rochester Electronics, LLC
Package / Case Bulk
Part Status Obsolete
Transistor Type PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 90 @ 1mA, 6V
Power - Max 200 mW
Frequency - Transition 180MHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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