画像は参考用です
APTC80H29T1G
+BOMMOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
-
メーカーマイクロセミコーポレーション
-
メーカー品番 #APTC80H29T1G
-
データシート APTC80H29T1G DataSheet
-
パッケージ SP-1
-
在庫状況6048
365 日間品質保証
7*24 日間の品質保証
90-時間単位のサービス保証
1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| FETFeature | Standard |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 800V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 15A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 290mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 3.9V @ 1mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 90nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 2254pF @ 25V |
| Power-Max | 156W |
| OperatingTemperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Chassis Mount |
| Package/Case | SP1 |
