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MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
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メーカーマイクロチップ・テクノロジー
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メーカー品番 #APTMC120AM08CD3AG
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パッケージ D-3 Module
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在庫状況7696
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仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 250A (Tc) |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 10mOhm @ 200A, 20V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.2V @ 10mA (Typ) |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 490nC @ 20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 9500pF @ 1000V |
| Power - Max | 1100W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
