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BCR573E6433HTMA1
+BOMTRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3
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メーカーインフィニオンテクノロジーズ
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メーカー品番 #BCR573E6433HTMA1
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データシート BCR573E6433HTMA1 DataSheet
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パッケージ TO-236-3
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在庫状況4644
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仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Bulk |
| Part Status | Not For New Designs |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 500 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 50 V |
| Resistor - Base(R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base(R2) | 10 kOhms |
| DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Vce Saturation(Max) @ Ib Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff(Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Power - Max | 330 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
