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BYC8B-600PJ
+BOMDIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
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メーカー瑞能半導体
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メーカー品番 #BYC8B-600PJ
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データシート BYC8B-600PJ DataSheet
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パッケージ TO-263-3
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在庫状況9695
365 日間品質保証
7*24 日間の品質保証
90-時間単位のサービス保証
1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | WeEn Semiconductors |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 8A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.4 V @ 8 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 18 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 600 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D2PAK |
