EPC2012C

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EPC2012C

+BOM

GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE

  • メーカービシェイ社

  • メーカー品番 #EPC2012C

  • 在庫状況7568

365 日間品質保証

7*24 日間の品質保証

90-時間単位のサービス保証

1日間のアフターサービス保証

仕様

属性 値
Supplier EPC
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series eGaN®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 1.3 nC @ 5 V
Vgs(Max) +6V, -4V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 140 pF @ 100 V
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package Die Outline (4-Solder Bar)

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