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FDMD86100
+BOMPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
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メーカーフェアチャイルドセミコンダクター
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メーカー品番 #FDMD86100
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データシート FDMD86100 DataSheet
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パッケージ WDFN-8
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在庫状況8554
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1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Bulk |
| Series | PowerTrench® |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 10A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 10.5mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 2060pF @ 50V |
| Power - Max | 2.2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
