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G3S06504C
+BOMSIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN
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メーカーグローバル・パワー・テクノロジー（GPT）
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メーカー品番 #G3S06504C
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在庫状況8455
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仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Global Power Technology-GPT |
| Package | Cut Tape (CT),Tape & Box (TB) |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 650 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 11.5A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.7 V @ 4 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 50 µA @ 650 V |
| Capacitance@VrF | 181pF @ 0V, 1MHz |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| SupplierDevicePackage | TO-252 |
