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G3S12010BM
+BOMSIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P
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メーカーグローバル・パワー・テクノロジー株式会社
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メーカー品番 #G3S12010BM
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データシート G3S12010BM DataSheet
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パッケージ TO-247-3
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在庫状況7625
365 日間品質保証
7*24 日間の品質保証
90-時間単位のサービス保証
1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Global Power Technology Co. Ltd |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 19.8A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 5 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Mounting Type | Through Hole |
