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G4S06508QT
+BOMSIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A DFN8*
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メーカーグローバル・パワー・テクノロジー株式会社
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メーカー品番 #G4S06508QT
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データシート G4S06508QT DataSheet
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パッケージ 4-PowerTSFN
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在庫状況5072
365 日間品質保証
7*24 日間の品質保証
90-時間単位のサービス保証
1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Global Power Technology Co. Ltd |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 650 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 34A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.7 V @ 8 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 50 µA @ 650 V |
| Capacitance@VrF | 395pF @ 0V, 1MHz |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 4-PowerTSFN |
| SupplierDevicePackage | 4-DFN (8x8) |
